含二吲唑并芘的蓝光半导体材料及其制备方法和由该材料制成的有机发光器件

摘要

本发明涉及一种含二吲唑并芘的蓝光半导体材料及其制备方法和由该材料制成的有机发光器件，解决现有芘类蓝光材料制成的器件光谱在长时间或高电压条件下不稳定的技术问题。本发明提供的含二吲唑并芘的蓝光半导体材料是由二吲唑并芘和含R基团的溴化物反应，生成含有R取代基的二吲唑并芘类衍生物。制得的含二吲唑并芘的蓝光半导体材料具有高的发光效率，高的发光效率表明该化合物可作为发光材料或发光主体材料，尤其是可以作为磷光蓝色主体材料，用于有机电致发光器件中表现出高效率、高亮度、长寿命，具有制造成本较低的优点，降低了有机电致发光器件的制造成本。

主权项

一种含二吲唑并芘的蓝光半导体材料，其特征在于，该材料的结构表达式为：式Ⅰ中，R代表取代或未取代的碳原子数为10‑20的芳基、取代或未取代的碳原子数为7‑18的杂芳基或三芳胺基。