发明名称 |
包含应力松弛间隙以提升芯片封装交互作用的稳定性的半导体设备 |
摘要 |
通过将单个芯片区域分为多个独立子区域(以一个或多个应力松弛区280a、280b为基础分为200a、200b、200c)可降低在复杂集成电路运行期间该子区域的各区域中的热诱导应力,从而提升包括低k介电材料或超低介电常数(ULK)材料的复杂金属化系统的总体可靠性。因此,与现有技术相比,本发明可结合半导体芯片(200)横向尺寸的增加使用大量堆迭金属化层。 |
申请公布号 |
CN102132406B |
申请公布日期 |
2015.01.07 |
申请号 |
CN200980133562.0 |
申请日期 |
2009.08.28 |
申请人 |
先进微装置公司 |
发明人 |
M·格里伯格;M·U·莱尔 |
分类号 |
H01L23/58(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/58(2006.01)I |
代理机构 |
北京戈程知识产权代理有限公司 11314 |
代理人 |
程伟;靳强 |
主权项 |
一种半导体设备,包括:第一多个电路元件和第二多个电路元件,形成在器件基板中或器件基板上方,该器件基板包括半导体材料;金属化系统,形成在该第一和第二多个电路元件上方,其中,该金属化系统包括一个或多个金属化层以及适以连接封装基板的最外接触层;应力松弛区,至少设在该金属化系统中,其中,该应力松弛区定义形成在所述第一多个电路元件上方的该金属化系统的第一子区域,并从形成在所述第二多个电路元件上方的所述金属化系统的至少第二子区域隔离所述第一子区域;以及金属线部分,形成在该一个或多个金属化层的至少其中一个中,其中,所述金属线部分从所述第一子区域延伸穿过所述应力松弛区域至所述第二子区域,以电性连接所述第一子区域下方的所述第一多个电路元件的至少一个和所述第二子区域下方的所述第二多个电路元件的至少一个。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |