一种基区缓变掺杂碳化硅薄膜外延制备方法

摘要

本发明涉及一种基区缓变掺杂碳化硅薄膜外延制备方法，所述制备方法包括以下步骤：(1)将碳化硅衬底放置到碳化硅CVD设备的反应室中，将反应室抽成真空；(2)向反应室通入H₂直至反应室气压到达100mbar，保持反应室气压恒定，再将H₂流量逐渐增至60L/min，继续向反应室通气；(3)打开高频线圈感应加热器RF，逐渐增大该加热器的功率，当反应室温度升高逐渐至1400℃进行原位刻蚀；(4)当反应室温度到达到1580℃-1600℃时，保持温度和压强恒定，向反应室通入C₃H₈和SiH₄，生长缓冲层。缓冲层生长结束后，设置N₂流量，生长低掺杂的集电区。集电区生长结束后，设置Al流量，生长双层阶梯掺杂的基区，其中第一层低掺缓变区，第二层为高掺杂。最后，设置N₂流量，生长高掺杂的发射区。

主权项

一种基区缓变掺杂碳化硅薄膜外延制备方法，其特征在于：所述制备方法包括以下步骤：(1)将碳化硅衬底放置到碳化硅CVD设备的反应室中，将反应室抽成真空；(2)向反应室通入H₂直至反应室气压到达100mbar，保持反应室气压恒定，再将H₂流量逐渐增至60L/min，继续向反应室通气；(3)打开高频线圈感应加热器RF，逐渐增大该加热器的功率，当反应室温度升高逐渐至1400℃进行原位刻蚀；(4)当反应室温度到达到1580℃‑1600℃时，保持温度和压强恒定，向反应室通入C₃H₈和SiH₄，生长缓冲层；缓冲层生长结束后，设置N₂流量，生长低掺杂的集电区；集电区生长结束后，设置Al流量，生长双层阶梯掺杂的基区，其中第一层低掺缓变区，第二层为高掺杂；最后，设置N₂流量，生长高掺杂的发射区；(5)当达到设定的外延生长时间后，停止生长，在反应室继续通入氢气，使衬底片在氢气流中降温；(6)当温度降低到700℃以下后，再次将反应室抽成真空，然后缓慢充入氩气，使衬底片在氩气环境下自然冷却到室温。