电阻变化型非易失性存储装置及其驱动方法

摘要

本发明提供一种能够进行稳定的动作的可靠性高的电阻变化型非易失性存储装置及电阻变化型非易失性存储装置的驱动方法。电阻变化型非易失性存储装置（200）具备存储单元阵列（202）、存储单元选择电路（203、204）、写入电路（205）和读取电路（206），写入电路（205）对配置在与不良存储单元相同的位线及字线上的至少某个上的不良存储单元以外的其他存储单元施加第2高电阻化脉冲，以使其他存储单元的电阻变化元件（30）成为第2高电阻状态，该第2高电阻状态表现出比第1低电阻状态的电阻值大的电阻值。

主权项

一种电阻变化型非易失性存储装置，其特征在于，具备：存储单元阵列，具有由电阻变化元件和电流控制元件构成的多个存储单元，在多个字线与多个位线之间的各个立体交叉点上，配置有上述多个存储单元的1个，上述电阻变化元件的电阻值根据所施加的写入电压脉冲而可逆地转变，上述电流控制元件与上述电阻变化元件串联连接，且当施加电压超过规定的阈值电压时流过被视为导通状态的电流；存储单元选择电路，从上述多个字线中选择至少1个，并从上述多个位线中选择至少1个，由此从上述存储单元阵列中选择至少1个以上的上述存储单元；写入电路，通过对所选出的上述存储单元施加电压脉冲，将所选出的上述存储单元的上述电阻变化元件的电阻值改写；以及读取电路，以对所选出的上述存储单元的上述电流控制元件施加比上述阈值电压高的第1电压或上述阈值电压以下的第2电压的方式，对所选出的上述存储单元施加读取电压，从而读取所选出的上述存储单元的状态；上述写入电路，将第1低电阻化脉冲或第1高电阻化脉冲作为上述写入电压脉冲对所选出的上述存储单元施加，从而使上述多个存储单元中的所选出的存储单元的上述电阻变化元件分别成为第1低电阻状态或第1高电阻状态；上述读取电路，当所选出的上述存储单元是没有不良的存储单元并且对该所选出的存储单元施加上述第1电压而读取所选出的上述存储单元的上述电阻变化元件的电阻状态时，在所选出的上述存储单元是上述第1低电阻状态的情况下检测第1规定值的电流，在是上述第1高电阻状态的情况下检测第2规定值的电流，当读取所选出的上述存储单元的上述电阻变化元件的电阻状态时，在比与上述第1低电阻状态或上述第1高电阻状态对应的上述第1规定值或上述第2规定值的电流分别大的电流流过所选出的上述存储单元的情况下，判定为所选出的上述存储单元为具有不良的不良存储单元；上述写入电路，对于配置在与上述不良存储单元相同的位线及相同的字线上的至少某个上的上述不良存储单元以外的其他存储单元，施加第2高电阻化脉冲，以使上述其他存储单元的上述电阻变化元件成为第2高电阻状态，该第2高电阻状态表现出上述第1低电阻状态的电阻值以上的电阻值。