改良带宽与静电放电免疫能力的T线圈网络设计

摘要

一种用以产生其中含有T线圈网络的电路设计的方法的实施例，该方法可包含决定电感器的电感及该T-线圈网络的寄生桥接电容（305-340）。该寄生桥接电容可相较于一负载电容测度，此测度是根据耦接于该T-线圈网络输出的负载的寄生电容而定（345、355）。按照该比较结果，可选择性地调整该电路设计中耦接于该T-线圈网络输出的静电放电(ESD)保护的量值及/或该T-线圈网络的电感器的参数（350、360）。可输出该电路设计，其中标明所述电感器的电感、ESD保护的量值及/或所述电感器的绕线的宽度（365）。

主权项

一种产生其中含有一T线圈网络的一个电路设计的计算机实施方法，该方法包含：决定电感器的电感以及该T‑线圈网络的一个寄生桥接电容，其中决定该寄生桥接电容是包含根据该T‑线圈网络内的一终端电阻器的一个寄生电容，标注为C_TM、一耦接于该T‑线圈网络的一输入处的一个输入/输出焊垫的一个寄生电容，标注为C_PD、以及所述电感器的一个绕线间电容，标注为C_BI，以决定该寄生桥接电容；比较该寄生桥接电容与一负载电容测度，该负载电容测度是根据耦接于该T‑线圈网络的一个输出的一个负载的寄生电容而定；按照该寄生桥接电容和该负载电容测度的比较，选择性地调整该电路设计中耦接于该T‑线圈网络输出的静电放电保护的一个量值或该T‑线圈网络的电感器的一个参数；以及输出该电路设计，其中该电路设计包含所述电感器的电感、静电放电保护的量值以及所述电感器的绕线的宽度。