| 发明名称 | 钨特征填充 | ||
| 摘要 | 本发明描述了以钨来填充特征的方法以及相关系统和设备。这些方法包括由里朝外填充技术以及特征内的保形沉积。由里朝外填充技术可包括在特征内的蚀刻过的钨层上的选择性沉积。根据各种实施例可使用保形与非保形蚀刻技术。本发明所述的这些方法可用于填充例如钨通孔的垂直特征、以及例如垂直NAND(VNAND)字线的水平特征。应用的实例包括逻辑和内存接点填充、DRAM埋入式字线填充、垂直集成内存栅极/字线填充以及具有硅通孔(TSVs)的3-D集成。 | ||
| 申请公布号 | CN104272441A | 申请公布日期 | 2015.01.07 |
| 申请号 | CN201380022693.8 | 申请日期 | 2013.03.27 |
| 申请人 | 诺发系统公司 | 发明人 | 阿南德·查德拉什卡;爱思特·杰恩;拉什纳·胡马雍;迈克尔·达内克;高举文;王德齐 |
| 分类号 | H01L21/31(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/31(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人 | 李献忠 |
| 主权项 | 一种方法，其包括：提供包括特征的衬底，所述特征具有一个或多个特征开口、特征侧壁和特征内部；在所述特征内保形地沉积钨以用第一主体钨层填充所述特征；去除所述第一主体钨层的一部分以在所述特征内留下蚀刻过的钨层，包括从一个或多个侧壁去除钨；并且在所述蚀刻过的钨层上选择性地沉积第二主体钨层。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||