| 摘要 |
本发明系达氮化物半导体多层膜反射镜的低电阻化。;本发明的氮化物半导体多层膜反射镜系第1半导体层(104)的Al组成较高于第2半导体层(106)的Al组成，且在第1半导体层(104)与第2半导体层(106)之间，在第1半导体层(104)的III族元素面侧，介存有Al组成调整为随靠近第2半导体层(106)呈逐渐降低的第1组成倾斜层(105)，并在第1半导体层(104)的氮面侧，介存有Al组成调整为随靠近第2半导体层(106)呈逐渐降低的第2组成倾斜层(103)，第1半导体层(104)、第2半导体层(106)、第1组成倾斜层(105)及第2组成倾斜层(103)的导带下端电子能量位准并没有补偿而呈连续，第1组成倾斜层(105)的n型杂质浓度系达5×10 19 cm -3 以上。 |
