矽基板之清洗方法及太阳电池之制造方法

摘要

本发明之矽基板之清洗方法，其特征在于包含：第1步骤，其系以含有金属离子、氧化剂及氢氟酸的混合水溶液，蚀刻矽基板的表面，于上述矽基板的表面形成多孔质层；第2步骤，其系将上述多孔质层的孔洞，以氢氟酸及硝酸为主的混酸蚀刻，于上述矽基板的表面形成织质；第3步骤，其系将上述形成织质之矽基板的表面以硷性药液蚀刻；及第4步骤，其系将藉由上述硷性药液蚀刻之矽基板，以含有臭氧的水处理，于形成在该矽基板的上述孔的内部产生气泡，去除上述孔的内部的金属及有机物杂质。

主权项

一种矽基板之清洗方法，其特征在于包含：第1步骤，其系以含有金属离子、氧化剂及氢氟酸的混合水溶液，蚀刻矽基板的表面，于上述矽基板的表面形成多孔质层；第2步骤，其系将上述多孔质层的孔洞，以氢氟酸及硝酸为主的混酸蚀刻，于上述矽基板的表面形成织质；第3步骤，其系将上述形成织质之矽基板的表面以硷性药液蚀刻；及第4步骤，其系将藉由上述硷性药液蚀刻之矽基板，以含有臭氧的水处理，于形成在该矽基板的上述孔的内部产生气泡，去除上述孔的内部的金属及有机物杂质；其中于上述第4步骤，将藉由以臭氧对水加压溶解所调制之上述含有臭氧的水，在浸渍上述矽基板之状态下，藉由减压，于上述多孔质层之上述孔洞内部产生气泡。