| 摘要 |
本发明的课题是在于提供一种即使下部电极的主导体膜的膜厚变厚，还是可抑制电容元件的耐压值的降低，抑制耐压值的偏差之半导体装置。其解决手段是进行：形成成为下部电极(BE1)的层叠膜(34)之工程，及在层叠膜(34)上形成成为电容膜(CIF1)的绝缘膜(38)之工程，及使绝缘膜(38)及层叠膜(34)图案化之工程。在形成层叠膜(34)的工程中，由下依序形成含钛的膜(31a)，含钛及氮的膜(31b)，含铝的主导体膜(32)，含钛的膜(33a)，及含钛及氮的膜(33b)。而且，层叠膜(34)的上面(34a)的表面粗度对绝缘膜(38)的膜厚(FT1)之比率为14%以下。 |
