制造金属栅极的方法

摘要

本发明提供制造适用于鳍式场效应晶体管结构的金属栅极的方法。在此所述的方法通常包括在半导体基板上形成高k介电材料；在该高k介电材料之上沉积高k介电帽层；沉积PMOS功函数层，其具有正功函数值；沉积NMOS功函数层；在该NMOS功函数层之上沉积NMOS功函数帽层；除去至少一部分的PMOS功函数层或至少一部分的NMOS功函数层；和沉积填充层。沉积高k介电帽层、沉积PMOS功函数层或沉积NMOS功函数帽层可包括氮化钛、氮化钛硅、或氮化钛铝的原子层沉积。可先沉积PMOS或NMOS中的任一者。

主权项

一种制造金属栅极电极的方法，所述方法包括以下步骤：在半导体基板上形成高k介电材料；在所述高k介电材料之上沉积高k介电帽层；沉积PMOS功函数层，所述PMOS功函数层具有正功函数值；沉积NMOS功函数层；在所述NMOS功函数层之上沉积NMOS功函数帽层；除去至少一部分的所述PMOS功函数层或至少一部分的所述NMOS功函数层；和沉积填充层，其中沉积高k介电帽层、沉积PMOS功函数层或沉积NMOS功函数帽层包括氮化钛、氮化钛硅或氮化钛铝的原子层沉积。