一种破碎多晶硅的方法及其装置

摘要

本发明公开了一种破碎多晶硅的方法，包括如下步骤：步骤一、将多晶硅置于水池中，以水没过多晶硅为准；步骤二、给水池施加瞬间高压电，所述高压电产生的电场强度大于或等于水池临界电场强度。本发明所提供的破碎多晶硅的方法突破了传统的多晶硅破碎思路，利用水电效应破碎多晶硅，可实现大规模破碎生产，并且工艺简单；本发明所提供的多晶硅破碎装置，结构简单、安全，易于操作；本发明不仅避免了现有技术中出现的金属污染问题，而且破碎均匀，有效的减少了多晶硅粉末的形成，对提高企业效益方面具有非常重要的意义。

主权项

一种破碎多晶硅的方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤一、将多晶硅置于水池中，以水没过多晶硅为准；步骤二、给水池施加瞬间高压电，所述高压电产生的电场强度大于或等于水池临界电场强度，所述步骤二采用电容高压放电的方式对水池施加瞬间高压电，具体操作如下：a.使用市电通过高压变电器对充电电容充电；b.当充电电容的电压达到隔离间隔开关的击穿电压时，隔离间隔开关被击穿，此时充电电容所储存的能量全部加在水池上；c.重复以上步骤，直至多晶硅全部被击碎时停止。