| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 本公开提供了一种半导体器件。半导体器件包括在衬底的顶表面上方间隔开的栅极结构。栅极结构包括在与衬底的顶表面平行的第一方向上延伸的水平电极。隔离绝缘层填充栅极结构之间的间隔。多个单元柱贯穿水平电极并连接到衬底。多个单元柱包括最小间隔，该最小间隔由多个单元柱中的任两个之间的最短距离限定。水平电极的厚度大于单元柱的最小间隔。 | ||
| 申请公布号 | CN104253130A | 申请公布日期 | 2014.12.31 |
| 申请号 | CN201410301303.7 | 申请日期 | 2014.06.27 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金兑炅;薛光洙;白贤喆;林珍洙;曹盛纯 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 王新华 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：多个栅极结构，在衬底的顶表面上方间隔开，所述多个栅极结构包括在与所述衬底的所述顶表面平行的第一方向上延伸的水平电极；隔离绝缘材料，设置在所述栅极结构之间；以及多个单元柱，贯穿所述水平电极并连接到所述衬底，其中所述水平电极的厚度大于由所述多个单元柱中的任两个之间的最短距离限定的第一间隔。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||