发明名称 |
磁控溅射装置和磁控溅射方法 |
摘要 |
本发明提供一种磁控溅射装置,其确保成膜速度的面内均匀性,并且提高成膜效率,提高靶的使用效率。以与载置于真空容器(2)内的晶片(10)相对的方式配置靶(31),并在该靶(31)的背面侧设置磁体排列体(5)。该磁体排列体(5)具有:内侧磁体组(54),其矩阵状地排列有磁体(61、62);和返回用的磁体(53),其设置于该内侧磁体组(54)的周围,阻止电子的飞出。由此,在靶(31)的正下方,基于会切磁场引起的电子的漂移产生高密度的等离子体,另外,腐蚀的面内均匀性提高。因此,能够使靶(31)和晶片(10)接近进行溅射,能够确保成膜速度的面内均匀性,并且提高成膜效率,提高靶的使用效率。 |
申请公布号 |
CN103031529B |
申请公布日期 |
2014.12.31 |
申请号 |
CN201210376114.7 |
申请日期 |
2012.09.29 |
申请人 |
东京毅力科创株式会社 |
发明人 |
水野茂;户岛宏至;五味淳;宫下哲也;波多野达夫;水泽宁 |
分类号 |
C23C14/35(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/35(2006.01)I |
代理机构 |
北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 |
代理人 |
龙淳 |
主权项 |
一种磁控溅射装置,以与载置于真空容器内的被处理基板相对的方式配置靶,并且在该靶的背面侧设置有磁体,该磁控溅射装置的特征在于,包括:电源部,其对所述靶施加电压;磁体排列体,其在基体上排列有磁体组;和旋转机构,其用于使该磁体排列体在与被处理基板正交的轴的周围旋转,所述磁体排列体,沿构成磁体组的多个N极和S极与靶相对的面,相互隔开间隔地排列,以使得基于会切磁场引起的电子的漂移产生等离子体,所述磁体组中的位于最外周的磁体排列为线状,以阻止电子摆脱会切磁场的束缚而飞出到会切磁场之外,溅射时的所述靶和被处理基板的距离为30mm以下。 |
地址 |
日本东京都 |