| 发明名称 | 基片刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供的基片刻蚀方法，其包括以下步骤：主刻蚀步骤，向反应腔室通入刻蚀气体和辅助气体，并开启激励电源和偏压电源，以对基片刻蚀预定刻蚀深度，其中，所述辅助气体包括氟化物气体；过刻蚀步骤，向反应腔室内通入所述刻蚀气体，并开启激励电源和偏压电源，以调节基片的沟槽形貌。本发明提供的基片刻蚀方法，其不仅可以提高工艺的灵活性，而且还可以提高基片沟槽底部的平整性。 | ||
| 申请公布号 | CN104253017A | 申请公布日期 | 2014.12.31 |
| 申请号 | CN201310271160.5 | 申请日期 | 2013.06.27 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 李成强 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 彭瑞欣;张天舒 |
| 主权项 | 一种基片刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：主刻蚀步骤，向反应腔室通入刻蚀气体和辅助气体，并开启激励电源和偏压电源，以对基片刻蚀预定刻蚀深度，其中，所述辅助气体包括氟化物气体；过刻蚀步骤，向反应腔室内通入所述刻蚀气体，并开启激励电源和偏压电源，以调节基片的沟槽形貌。 | ||
| 地址 | 100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号 | ||