| 发明名称 | 半导体陶瓷组合物、其制造方法及PTC元件 | ||
| 摘要 | 提供其中BaTiO<sub>3</sub>系氧化物中一部分Ba被Bi和A(A表示Na、Li和K的一种以上)置换的无铅半导体陶瓷组合物，所述半导体陶瓷组合物具有位于晶粒的外壳部分和中心部分之间的区域，且当沿晶粒内的径向测量Bi浓度时，所述区域具有高于外壳部分和中心部分的Bi浓度。 | ||
| 申请公布号 | CN104245625A | 申请公布日期 | 2014.12.24 |
| 申请号 | CN201380020900.6 | 申请日期 | 2013.04.19 |
| 申请人 | 日立金属株式会社 | 发明人 | 岛田武司;上田到;猪野健太郎 |
| 分类号 | C04B35/468(2006.01)I;H01C7/02(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/468(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 一种半导体陶瓷组合物，所述半导体陶瓷组合物为其中BaTiO<sub>3</sub>系氧化物中一部分Ba被Bi和A(其中A为Na、Li和K的至少一种)置换的无铅半导体陶瓷组合物，所述半导体陶瓷组合物具有晶粒内的中心部分和外壳部分之间的区域，其中当沿所述晶粒内的径向测量Bi浓度时，所述区域的Bi浓度高于所述中心部分的Bi浓度和所述外壳部分的Bi浓度二者。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||