发明名称 甲基磺酸铜电镀液的应力消除剂及其使用方法
摘要 本发明公开了一种甲基磺酸铜电镀液的应力消除剂及其使用方法;所述应力消除剂为分子中包含有含氮杂环的杂环化合物及其衍生物;所述含氮杂环为<img file="DDA00001738889600011.GIF" wi="368" he="166" /><img file="DDA00001738889600012.GIF" wi="430" he="184" />其使用方法为:在芯片铜电沉积的电镀液中,根据应力目标范围和铜离子浓度,加入所述应力消除剂。与现有技术相比,通过在用于芯片、转接板铜互连的甲基磺酸铜镀铜液中加入ppm量级的本发明的应力消除剂,可控制镀层的内应力;其使用方法简单实用,可以在不改变正常的镀液成分或电镀工艺,也不会造成新的可靠性问题的前提下,大大降低甚至可以完全消除镀层中的内应力。
申请公布号 CN102703939B 申请公布日期 2014.12.24
申请号 CN201210187300.6 申请日期 2012.06.07
申请人 上海交通大学 发明人 李明;凌惠琴;冯雪;伍慈艳;曹海勇
分类号 C25D3/38(2006.01)I 主分类号 C25D3/38(2006.01)I
代理机构 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 代理人 郭国中
主权项 一种甲基磺酸铜电镀液的应力消除剂的使用方法,其特征在于,在芯片铜电沉积的电镀液中,根据应力目标范围和铜离子浓度,加入应力消除剂;所述应力消除剂为分子中包含有含氮杂环的杂环化合物及其衍生物;所述含氮杂环为<img file="FDA0000573709320000011.GIF" wi="180" he="171" /><img file="FDA0000573709320000012.GIF" wi="131" he="162" />或<img file="FDA0000573709320000013.GIF" wi="158" he="180" />时,所述含氮杂环上含苯环、烷基、羧基、硝基、巯基、甲氧基、醛基、氨基、甲酸甲酯中的一种或几种;所述含氮杂环为<img file="FDA0000573709320000014.GIF" wi="170" he="159" />时,所述含氮杂环上含苯环、烷基、羧基、硝基、甲氧基、醛基、氨基、甲酸甲酯中的一种或几种。
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