一种逆导型绝缘栅双极型晶体管

摘要

本申请公开了一种逆导型绝缘栅双极型晶体管，包括集电极、P型集电区、N型隧道掺杂区、N型阻挡层、N型漂移区、MOS区和栅极。P型集电区为简并掺杂区域，费米能级进入价带中；N型隧道掺杂区为掺杂浓度接近简并掺杂的区域，费米能级接近导带底但不进入导带；P型集电区的掺杂浓度比N型隧道掺杂区的掺杂浓度高。该晶体管通过引入N型隧道掺杂区，实现反向导通，因此在工艺制作上，背面无须刻蚀工艺。在工作中，由于没有普通逆导型IGBT集电极端的N型区域，不存在器件正向导通和反向导通时产生的电流集中问题；也不存在器件正向导通时的电压回跳现象。

主权项

一种逆导型绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，包括P型集电区、N型隧道掺杂区、N型阻挡层、N型漂移区和MOS区，所述P型集电区的底端设置作为集电极引出的电极，所述P型集电区的上方依次为所述N型隧道掺杂区、所述N型阻挡层、所述N型漂移区和所述MOS区；所述P型集电区为简并掺杂区域，费米能级进入价带中；所述N型隧道掺杂区为掺杂浓度接近简并掺杂的区域，费米能级接近导带底但不进入导带；P型集电区的掺杂浓度比N型隧道掺杂区的掺杂浓度高。