| 摘要 |
Integrierte Schaltung, die aufweist: einen Lasttransistor (201) mit einer Steuerelektrode und einem zwischen einer ersten und einer zweiten Lastelektrode liegenden Laststrompfad; einen Sense-Transistor (202) mit einer Steuerelektrode und einem zwischen einer ersten und einer zweiten Lastelektrode liegenden Sense-Strompfad, wobei die beiden Steuerelektroden sowie die beiden ersten Lastelektroden miteinander verbunden sind; und eine Regelschaltung (207), die dazu ausgebildet ist, die Steuerelektroden mit einer Steuerspannung (VG) abhängig von einer Spannung (VDS) über dem Laststrompfad derart anzusteuern, dass der Proportionalitätsfaktor (K) zwischen einem Laststrom (iLAST) durch den Laststrompfad und einem Sense-Strom (iSENSE) durch den Sense-Strompfad eine minimale mittlere statistische Streuung (σ(K)) aufweist; wobei der Sense-Transistor (202) und der Lasttransistor (201) statistisch differierende Threshold-Spannungen (VTH) aufweisen, deren Differenz (ΔVTH) mit einer mittleren statistischen Streuung (σ(ΔVTH)) behaftet ist; die Spannung (VDS) über dem Laststrompfad im Vergleich zur Spannung über dem Sense-Strompfad einen Spannungs-Offset (VOFF) aufweist, der ebenfalls mit einer mittleren statistischen Streuung (σ(VOFF)) behaftet ist; und die Differenz (VG–VTH) zwischen Steuerspannung (VG) und Threshold-Spannung (VTH) des Lasttransistors (201) und die Spannung (VDS) über dem Laststrompfad ein bestimmtes Verhältnis zueinander aufweisen, wobei die Regelschaltung (207) dazu ausgebildet ist dieses Verhältnis so einzustellen, dass es dem Verhältnis zwischen den mittleren statistischen Streuungen (σ(ΔVTH),σ(VOFF)) der Threshold-Spannungsdifferenz (ΔVTH) und des Spannungs-Offsets (VOFF) entspricht. |
