半导体装置及用于制造半导体装置的方法

摘要

一种半导体装置包括一第一半导体层其系配置在一基板上，一第二半导体层其系配置在该第一半导体层上，一闸极凹陷其系经由去除该第二半导体层之一部分或是所有的第二半导体层而配置在该第一半导体层上之一预定区域中，一绝缘薄膜其系配置在该闸极凹陷以及该第二半导体层上，一闸极其系配置在该闸极凹陷上且有该绝缘薄膜置于其等之间，以及一源极及一汲极系配置在该第一半导体层或该第二半导体层上，藉此该闸极凹陷之一部分系高于该闸极凹陷之一周围部分。

主权项

一种半导体装置，其包含：一第一半导体层，其系配置在一基板上；一第二半导体层，其系配置在该第一半导体层上；一闸极凹陷，其系经由去除该第二半导体层之一部分或是所有的该第二半导体层而配置在该第一半导体层上之一预定区域中；一绝缘薄膜，其系配置在该闸极凹陷以及该第二半导体层上；一闸极，其系配置在该闸极凹陷上且有该绝缘薄膜置于其等之间；以及一源极及一汲极，其系配置在该第一半导体层或该第二半导体层上，藉此该闸极凹陷之一中央部分系高于该闸极凹陷之一周围部分，以使相对应该中央部分之区域的电子密度高于相对应该周围部分之区域的电子密度。