含有不消隐量子点之装置

摘要

本发明系关于光电子装置，其包括：两个间隔开的电极；及至少一含三元核/壳奈米结晶之层，该等奈米结晶布置于该等间隔电极之间且具有含合金组合物梯度的三元半导体核，且其中该等三元核/壳奈米结晶展示特征为工作时间(on time)大于1分钟或辐射寿命小于10奈秒的单一分子不消隐特性。

主权项

一种光电子装置，其包含：(a)两个间隔开的电极；及(b)至少一含三元核/壳奈米结晶之层，该等奈米结晶布置于该等间隔电极之间且具有一含一合金组合物梯度的三元半导体核且其中该等三元核/壳奈米结晶展示特征为工作时间大于1分钟或辐射寿命小于10奈秒的单一分子不消隐特性。