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<p>Die Erfindung betrifft einen Halbleiter-Leistungsschalter (100) mit einem Trägersubstrat (110) und einer auf dem Trägersubstrat (110) aufgebrachte erste Halbleiterschicht (130) aus einem ersten Halbleitermaterial. Weiterhin umfasst der Halbleiter-Leistungsschalter (100) eine auf der ersten Halbleiterschicht (130) aufgebrachte zweite Halbleiterschicht (135) aus einem zweiten Halbleitermaterial, wobei der Bandabstand des ersten Halbleitermaterials sich vom Bandabstand des zweiten Halbleitermaterials unterscheidet. Auch umfasst der Halbleiter-Leistungsschalter (100) einen Drainanschluss (145) und einen Sourceanschluss (150), die zumindest in der zweiten Halbleiterschicht (135) eingebettet sind, wobei mittels des Drainanschlusses (145) und des Sourceanschlusses (150) zumindest eine Grenzschicht (140) zwischen dem ersten und zweiten Halbleitermaterial elektrisch kontaktierbar ist. Ferner umfasst der Halbleiter-Leistungsschalter (100) einen Kanalbereich (155) zwischen dem Drainanschluss (145) und dem Sourceanschluss (150), wobei der Kanalbereich (155) ausgebildet ist, um als elektrischer Leistungsschalter zu wirken. Schließlich umfasst der Halbleiter-Leistungsschalter (100) eine Gateanschluss (170), der zumindest teilweise den Kanalbereich (155) überdeckt.</p> |
