发明名称 阵列基板的制造方法及应用其制造的阵列基板
摘要 本发明公开一种阵列基板的制造方法及应用其制造的阵列基板,涉及显示装置技术,解决隔垫物与阵列基板贴合时易产生静电,从而对液晶的控制造成干扰,影响显示效果的问题。阵列基板的制造方法,包括:1,在基板上形成栅极;2,在栅极上依次形成栅极绝缘层,有源层以及源、漏极;3,在源、漏极上形成钝化层,并在相应位置形成过孔;4,在钝化层上依次形成导电材料层和第一光刻胶层;5,对第一光刻胶层进行曝光、显影,在非像素区形成隔垫物、同时在像素区形成第一图案化光刻胶层;6,沿第一图案化光刻胶层对导电材料层进行刻蚀,形成像素电极;7,对基板进行曝光、显影,去除第一图案化光刻胶层。本发明主要用于显示装置生产中。
申请公布号 CN104217995A 申请公布日期 2014.12.17
申请号 CN201410464908.8 申请日期 2014.09.12
申请人 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 发明人 白金超;郭总杰;丁向前;刘晓伟;刘耀;张光明
分类号 H01L21/77(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I 主分类号 H01L21/77(2006.01)I
代理机构 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人 申健
主权项 一种阵列基板的制造方法,其特征在于,包括:步骤1,在基板上形成栅极;步骤2,在所述栅极上沉积形成栅极绝缘层,在所述栅极绝缘层上形成源、漏极以及连接所述源、漏极的有源层;步骤3,在完成步骤2的所述基板上形成钝化层,同时在所述钝化层上相应位置形成过孔;步骤4,在完成步骤3的所述基板上依次形成导电材料层和第一光刻胶层;步骤5,使用掩膜版对所述第一光刻胶层进行曝光、显影,在非像素区形成隔垫物、同时在像素区形成第一图案化光刻胶层;步骤6,沿所述第一图案化光刻胶层对所述导电材料层进行刻蚀,形成像素电极;步骤7,使用掩膜版对完成步骤6的所述基板进行曝光、显影,去除所述第一图案化光刻胶层。
地址 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号
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