发明名称 一种半导体硅片蚀刻槽
摘要 本实用新型的一种半导体硅片蚀刻槽,包括带顶板的槽体,所述槽体的顶板上方设置有向上凸起的圆环形凸沿,凸沿内中心的顶板上设置有方形的开口,凸沿配合有可扣合在凸沿内的圆形端盖,端盖顶部设置有把手;所述槽体的侧壁分为内侧壁和外侧壁,所述内侧壁和外侧壁之间设置有通制冷剂的盘管,所述盘管外接有空调压缩机。本实用新型的有益效果是:提高了密封性,防止酸液飞溅对操作人员造成损伤。制冷效果好,能够及时有效地降温,使混合酸液的温度保持在一定范围,保证了整个硅片上或整批硅片上所形成沟槽的一致性。
申请公布号 CN204029779U 申请公布日期 2014.12.17
申请号 CN201420449567.2 申请日期 2014.08.11
申请人 山东芯诺电子科技有限公司 发明人 王天峰
分类号 H01L21/67(2006.01)I 主分类号 H01L21/67(2006.01)I
代理机构 济南泉城专利商标事务所 37218 代理人 肖健
主权项 一种半导体硅片蚀刻槽,包括带顶板的槽体,其特征在于:所述槽体的顶板上方设置有向上凸起的圆环形凸沿,凸沿内中心的顶板上设置有方形的开口,凸沿配合有可扣合在凸沿内的圆形端盖,端盖顶部设置有把手;所述槽体的侧壁分为内侧壁和外侧壁,所述内侧壁和外侧壁之间设置有通制冷剂的盘管,所述盘管外接有空调压缩机;所述空调压缩机信号连接有控制器,所述槽体内设置有与控制器信号连接的温度传感器。
地址 272100 山东省济宁市兖州区兖颜路路北