发明名称 |
晶圆测试探卡的设计方法 |
摘要 |
本发明公开了一种晶圆测试探卡的设计方法,包括:1)根据被测芯片所要求的磁场强度范围,设计待需要产生磁场的线圈和线圈的骨架内径大小;2)在探卡的补强板和环区域,预留出固定区域空间;3)线圈的骨架与探卡的环区域垂直接触,线圈的骨架底座到探卡上的探针水平面距离为3mm~50mm之间;4)根据测试产品规格,要植好探卡上的探针;5)把线圈植入步骤2)所述的补强板和环区域的预留出的固定区域空间。使用本发明后,对需要使用磁场进行晶圆级测试能够得到准确结果,同时,能够较为便捷的实现,而且成本较低。 |
申请公布号 |
CN104215802A |
申请公布日期 |
2014.12.17 |
申请号 |
CN201310213362.4 |
申请日期 |
2013.05.31 |
申请人 |
上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
谢晋春;桑浚之 |
分类号 |
G01R1/073(2006.01)I |
主分类号 |
G01R1/073(2006.01)I |
代理机构 |
上海浦一知识产权代理有限公司 31211 |
代理人 |
高月红 |
主权项 |
一种晶圆测试探卡的设计方法,其特征在于,包括步骤:1)根据被测芯片所要求的磁场强度范围,设计待需要产生磁场的线圈和线圈的骨架内径大小;2)在探卡的补强板和环区域,预留出固定区域空间;3)线圈的骨架与探卡的环区域垂直接触,线圈的骨架底座到探卡上的探针水平面距离为3mm~50mm之间;4)根据测试产品规格,要植好探卡上的探针;5)把线圈植入步骤2)所述的补强板和环区域的预留出的固定区域空间。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 |