驱动非易失性逻辑电路的方法

摘要

非易失性逻辑电路（20）中，沿着强电介质膜（13）的长度方向，第一输入电极（17a）和第二输入电极（17b）被夹在电源电极（15）与输出电极（16）之间。沿着与该长度方向正交的方向，第一输入电极（17a）与第二输入电极（17b）相邻。本发明的非易失性逻辑电路（20）的驱动方法具备：将选自4种状态中的一个状态通过对控制电极（12）、第一输入电极（17a）和第二输入电极（17b）分别施加根据该状态规定的电压V1、Va和Vb而写入到非易失性逻辑电路（20）的工序；和基于在电源电极（15）与输出电极（16）之间施加电压而产生的电流决定非易失性逻辑电路（20）具有高电阻状态还是低电阻状态的工序。

主权项

一种驱动非易失性逻辑电路的方法，其特征在于：具备以下的工序(a)～工序(c)：准备所述非易失性逻辑电路的工序(a)，其中，所述非易失性逻辑电路具备控制电极、强电介质膜、半导体膜和电极组，所述控制电极、所述强电介质膜、所述半导体膜和所述电极组依次在所述控制电极上层叠，所述电极组具备电源电极、输出电极、第一输入电极和第二输入电极，其中，X方向、Y方向和Z方向分别是所述强电介质膜的长度方向、与所述长度方向正交的方向和所述层叠方向，沿着X方向，所述第一输入电极和所述第二输入电极被夹在所述电源电极与所述输出电极之间，沿着Y方向，所述第一输入电极与所述第二输入电极相邻；将选自第一状态、第二状态、第三状态和第四状态中的1个状态写入到所述非易失性逻辑电路的工序(b)，其中，V1、Va和Vb分别是施加于所述控制电极的电压、施加于所述第一输入电极的电压和施加于所述第二输入电极的电压，在写入所述第一状态时，施加满足V1>Va和V1>Vb不等式的电压，在写入所述第二状态时，施加满足V1<Va和V1>Vb不等式的电压，在写入所述第三状态时，施加满足V1>Va和V1<Vb不等式的电压，在写入所述第四状态时，施加满足V1<Va和V1<Vb不等式的电压，所述第一状态、所述第二状态和所述第三状态是低电阻状态，所述第四状态是高电阻状态；和测定通过在所述电源电极与所述输出电极之间施加电压而产生的电流，基于所述电流决定所述非易失性逻辑电路具有所述高电阻状态和所述低电阻状态中的哪一个的工序(c)。