发明名称 |
矽基板、基板表面的粗糙化方法及太阳能电池 |
摘要 |
一种矽基板、基板表面的粗糙化方法及太阳能电池,所述矽基板包含:一第一区域以及一第二区域。该第一区域的表面具有数个第一突出结构,各该第一突出结构表面具有数个凸块。该第二区域的表面具有数个第二突出结构,各该第一突出结构的平均厚度大于各该第二突出结构的平均厚度。本发明的方法是利用例如RIE或雷射等方式,蚀刻一块半成品基板,以形成所述凸块与第二突出结构,并透过第二突出结构提升第二区域的表面粗糙度、降低光反射率,以缩小该第二区域及该第一区域之间的反射率差异,使该矽基板及电池的表面颜色较均匀。 |
申请公布号 |
TWI464891 |
申请公布日期 |
2014.12.11 |
申请号 |
TW100140551 |
申请日期 |
2011.11.07 |
申请人 |
茂迪股份有限公司 新北市深坑区北深路3段248号6楼 |
发明人 |
陈文华 |
分类号 |
H01L31/042;H01L23/48 |
主分类号 |
H01L31/042 |
代理机构 |
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代理人 |
高玉骏 台北市松山区南京东路3段248号7楼;杨祺雄 台北市松山区南京东路3段248号7楼 |
主权项 |
一种矽基板,包含:一表面,包括一第一区域与一第二区域,其中该第一区域由单晶矽材组成,该第二区域由多晶矽材组成;数个第一突出结构,位于该第一区域,且各该第一突出结构的表面具有数个凸块;及数个第二突出结构,位于该第二区域。 |
地址 |
新北市深坑区北深路3段248号6楼 |