| 发明名称 |
高功率发光二极体 |
| 摘要 |
一种高功率发光二极体，包含一基板、一上金属层、两个第一晶片、两个第二晶片及一萤光层。两个第一晶片与第二晶片两两相对且交错设置于上金属层上，且萤光层选择性涂布地覆盖于第一晶片。 |
| 申请公布号 |
TWI464922 |
申请公布日期 |
2014.12.11 |
| 申请号 |
TW100139573 |
申请日期 |
2011.10.31 |
| 申请人 |
光宝电子（广州）有限公司 中国;光宝科技股份有限公司 台北市内湖区瑞光路392号22楼 |
发明人 |
吴嘉豪;林贞秀;翁明堃;张逸谦 |
| 分类号 |
H01L33/50;H01L33/52;H01L33/62 |
主分类号 |
H01L33/50 |
| 代理机构 |
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代理人 |
恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼 |
| 主权项 |
一种高功率发光二极体，包含：一基板；一上金属层，被覆于该基板的上表面，且包括一固晶垫及多个沿该固晶垫周侧分布的导接垫；两个第一晶片，设于该固晶垫；两个第二晶片，设于该固晶垫，并与该等第一晶片两两相对且交错设置；一萤光层，选择性涂布地覆盖该等第一晶片；及一透镜，设于该基板并覆盖该等第一晶片、该等第二晶片及该萤光层，该透镜的高度与其底部半径的比例大于1且小于1.2。 |
| 地址 |
台北市内湖区瑞光路392号22楼 |
