发明名称 |
宽光谱宽角度椭圆纳米线阵列薄膜太阳能电池陷光结构 |
摘要 |
本发明涉及一种宽光谱宽角度椭圆纳米线阵列薄膜太阳能电池陷光结构,所述的陷光结构由截面积为椭圆形的半导体纳米线并行排列形成纵向阵列,而且相邻椭圆纳米线在截面上的长轴之间相互有一定的角度,该角度>0°,且≤90°。这种具有宽光谱宽角度高陷光效率的椭圆半导体纳米线阵列结构及其设计方法,相比以往的圆形半导体纳米线阵列结构,在太阳光谱长波段和短波段的吸收效率均有了显著提高。 |
申请公布号 |
CN104201228A |
申请公布日期 |
2014.12.10 |
申请号 |
CN201410347108.8 |
申请日期 |
2014.07.21 |
申请人 |
同济大学 |
发明人 |
吴永刚 |
分类号 |
H01L31/054(2014.01)I;H01L31/0236(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/054(2014.01)I |
代理机构 |
上海东亚专利商标代理有限公司 31208 |
代理人 |
陈树德;李颖薇 |
主权项 |
一种宽光谱宽角度椭圆纳米线阵列薄膜太阳能电池陷光结构,其特征在于:所述的陷光结构由截面积为椭圆形的半导体纳米线并行排列形成纵向阵列,而且相邻椭圆纳米线在截面上的长轴之间相互有一定的角度,该角度>0°,且≤90°。 |
地址 |
200092 上海市杨浦区四平路1239号 |