| 发明名称 | 一种具有超低比导通电阻特性的高压功率器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体功率器件技术领域，具体的说是涉及一种具有超低比导通电阻特性的高压功率器件。本发明基于全域积累概念，提出一种超低比导通电阻高压功率器件。该器件漂移区使用低掺杂并在引入跨过整个漂移区的全域薄层介质，设计使得器件关态时器件能承受高电压，开态时形成横跨整个漂移区的积累层，降低比导通电阻，缓解了器件比导通电阻与耐压的矛盾关系。本发明器件耐压时漂移区与栅极同时参与耐压，其较低掺杂保证器件纵向电场接近矩形分布，具有最佳的耐压性能。本发明尤其适用于高压功率器件。 | ||
| 申请公布号 | CN104201194A | 申请公布日期 | 2014.12.10 |
| 申请号 | CN201410424546.X | 申请日期 | 2014.08.26 |
| 申请人 | 电子科技大学 | 发明人 | 张波;章文通;陈钢;乔明;李肇基 |
| 分类号 | H01L29/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人 | 李玉兴 |
| 主权项 | 一种具有超低比导通电阻特性的高压功率器件，其特征在于，其元胞结构由全域栅结构(1)和漂移区结构(2)构成，其中全域栅结构(1)位于2个漂移区结构(2)之间，全域栅结构(1)与漂移区结构(2)之间通过第一介质层(11)和第二介质层(22)隔离；所述全域栅结构(1)包括第一漂移区(35)、位于第一漂移区(35)上层的第一P型阱区(21)、位于第一漂移区(35)下层的第一N型掺杂区(33)、位于第一P型阱区(21)上层的P<sup>+</sup>源极接触区(22)和位于第一N型掺杂区(33)下层的漏端接触P<sup>+</sup>区(23)；其中，P<sup>+</sup>源极接触区(22)上表面设置有栅极金属(42)；所述漂移区结构(2)包括第二漂移区(32)、位于第二漂移区(32)上层的第二P型阱区(20)、位于第二漂移区(32)下层的第二N型掺杂区(30)、位于第二N型掺杂区(30)下层的漏端接触N<sup>+</sup>区(34)和位于第二P型阱区(20)上层的P<sup>+</sup>源极接触区(22)与N<sup>+</sup>源极接触区(31)；所述P<sup>+</sup>源极接触区(22)与N<sup>+</sup>源极接触区(31)相互独立，P<sup>+</sup>源极接触区(22)与N<sup>+</sup>源极接触区(31)上表面设置有源极金属(41)，N<sup>+</sup>源极接触区(31)位于靠近全域栅结构(1)的一侧；所述P<sup>+</sup>源极接触区(22)与N<sup>+</sup>源极接触区(31)之间、第一P型阱区(21)与第二P型阱区(20)之间、第一漂移区(35)与第二漂移区(32)之间通过第一介质层(11)隔离；所述第一N型掺杂区(33)与第二N型掺杂区(30)之间、漏端接触P<sup>+</sup>区(23)与漏端接触N<sup>+</sup>区(34)之间通过第二介质层(22)隔离；所述漏端接触P<sup>+</sup>区(23)与漏端接触N<sup>+</sup>区(34)下表面设置有漏极金属(43)。 | ||
| 地址 | 611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号 | ||