发明名称 一种新型低功耗比较器
摘要 本发明公开了一种新型低功耗比较器电路及其实现方法,所述的比较器电路包括输入端、电流镜有源负载和尾电流源;所述比较器的实现方法包括如下步骤:首先将一路参考电压和两路待比较电压作为输入信号,两路比较器进行比较后通过输出端将结果输出。本发明仅采用七个MOS管(三个PMOS管、四个NMOS管或四个PMOS管、三个NMOS管)实现,简化了电路结构,具有低功耗、低成本、高可靠性的特性。
申请公布号 CN104202022A 申请公布日期 2014.12.10
申请号 CN201410435979.5 申请日期 2014.09.01
申请人 长沙景嘉微电子股份有限公司 发明人 沈磊
分类号 H03K5/22(2006.01)I 主分类号 H03K5/22(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种新型低功耗比较器电路及其实现方法,实现电路有两种,其中一种实现电路的特征在于:它包括PMOS管M1、M2、M3,NMOS管M4、M5、M6、M7,其中PMOS管M1的栅极接PMOS管M2的栅极,源极接电源(VDD),漏极接输出端V<sub>O2</sub>;PMOS管M2的栅漏短接并接PMOS管M1的栅极,同时接到NMOS管M5的漏极,源极接电源(VDD);PMOS管M3的栅极接PMOS管M2的栅极,源极接电源(VDD),漏极接输出端(V<sub>O1</sub>);NMOS管M4栅极接输入端(V<sub>i2</sub>),源极接NMOS管M7的漏极,漏极接输出端(V<sub>O2</sub>);NMOS管M5的栅极接参考电压(V<sub>REF</sub>),源极接NMOS管M7的漏极,漏极接PMOS管M2的漏极;NMOS管M6的栅极接输入端(V<sub>i1</sub>),源极接NMOS管M7的漏极,漏极接输出端(V<sub>O1</sub>);NMOS管M7的栅极接外部偏置电压(V<sub>bias</sub>),源极接电源地(GND),漏极接NMOS管M4的源极。
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