| 发明名称 | 通过缓冲层调节控制LED外延片波长均匀性的方法 | ||
| 摘要 | 本申请公开了一种通过缓冲层调节控制LED外延片波长均匀性的方法，依次包括生长衬底，GaN缓冲层，非掺杂GaN层，N型GaN层，多量子阱层，P型AlGaN层，P型GaN层的步骤，其特征在于，通过调节生长时间来控制GaN缓冲层在衬底表面的沉积量，并配合分解和重结晶阶段GaN缓冲层的分解，来进行GaN缓冲层的生长；其中，所述GaN缓冲层的生长的厚度变化对应外延片中心区域与边缘的波长差。本发明通过控制LED外延缓冲层生长时间来实现控制产品波长均匀性的目的。 | ||
| 申请公布号 | CN104201257A | 申请公布日期 | 2014.12.10 |
| 申请号 | CN201410474419.0 | 申请日期 | 2014.09.17 |
| 申请人 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 发明人 | 涂靓虎;吴际 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I;H01L33/12(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京爱普纳杰专利代理事务所(特殊普通合伙) 11419 | 代理人 | 何自刚 |
| 主权项 | 一种通过缓冲层调节控制LED外延片波长均匀性的方法，依次包括生长衬底，GaN缓冲层，非掺杂GaN层，N型GaN层，多量子阱层，P型AlGaN层，P型GaN层的步骤，其特征在于，通过调节生长时间来控制GaN缓冲层在衬底表面的沉积量，并配合分解和重结晶阶段GaN缓冲层的分解，来进行GaN缓冲层的生长；其中，所述GaN缓冲层的生长的厚度变化对应外延片中心区域与边缘的波长差。 | ||
| 地址 | 423038 湖南省郴州市苏仙区白露塘镇有色金属产业园区 | ||