| 摘要 |
<p>Ein Leistungshalbleiterbauelement umfasst ein erstes Substrat, das mit einem ersten Dotandentyp stark dotiert ist, wobei das erste Substrat eine Vorderfläche und eine Rückfläche aufweist, wobei die Rückfläche eine Rückseite des Bauelements bildet, einen vertikalen FET vom p-Typ und einen vertikalen FET vom n-Typ, die seitlich nebeneinander auf der Vorderfläche des ersten Substrats angeordnet sind, wobei einer der FETs eine erste Driftzone mit einer Dotierung aufweist, die zu dem ersten Dotanden des ersten Substrats komplementär ist, und wobei der FET vom p-Typ und der FET vom n-Typ das erste Substrat als eine gemeinsame Rückseite gemeinsam nutzen, und wobei eine Region zwischen der ersten Driftzone und dem ersten Substrat eine hoch leitfähige Struktur umfasst, die eine niedrig-ohmsche Verbindung zwischen der ersten Driftzone und dem ersten Substrat bereitstellt. Ferner wird ein Verfahren zum Herstellen eines solchen Bauelements bereitgestellt.</p> |
