存储器阵列结构

摘要

本发明公开了一种存储器阵列结构，包括多个位线沟槽，设置在基材中，多个位线沟槽沿着第一方向延伸，而且各位线沟槽包括上部和增宽的下部。还包括埋入式位线，介于多个位线沟槽间。还包括沟槽填充材料层，位于各位线沟槽内，沟槽填充材料层在增宽的下部密封出气隙。多个字线沟槽，沿着第二方向延伸。还包括主动切槽，设置在埋入式位线的端部。还包括屏蔽层，位于气隙中。还包括侧壁导体，设置在主动切槽的侧壁。

主权项

一种存储器阵列结构，其特征在于，包括：基材；多个位线沟槽，设置在所述基材中，所述多个位线沟槽沿着第一方向延伸，而且各所述位线沟槽包括上部以及增宽的下部；埋入式位线，介于所述多个位线沟槽间；沟槽填充材料层，位于各所述位线沟槽内，所述沟槽填充材料层在所述增宽的下部密封出气隙；多个字线沟槽，沿着第二方向延伸；主动切槽，设置在所述埋入式位线的端部；屏蔽层，位于所述气隙中；和侧壁导体，设置在所述主动切槽的侧壁。