一种倒装LED芯片的制作方法

摘要

本发明涉及一种倒装LED芯片的制作方法包括以下制作步骤：在P型欧姆接触层表面形成光反射层；形成N型电极形成区；形成绝缘介质膜；形成P型电极区和N型电极区；制作形成P型电极和N型电极，其中N型电极为阶梯结构，N型电极的下端穿过所述绝缘介质膜与N型层连接，N型电极的上端向P型电极的位置延伸，并且上端的N型电极与N型电极存在相同高度的或近似高度的共同锡焊面；P型电极和N型电极通过锡焊的方式固定在各自的PCB板上。本发明由于把倒装LED芯片的N型电极与N型电极设置相同高度的或近似高度的共同锡焊面，因而增加了LED芯片倒装工艺的封装良率，避免了电极虚焊或脱焊的情形发生。

主权项

一种倒装LED芯片的制作方法，LED芯片从下至上依次为衬底（1）、缓冲层（2）、N型层（3）、N型分别限制层（4）、有源区层（5）、P型分别限制层（6）、P型层（7）以及P型欧姆接触层（8），包括以下制作步骤：步骤01、在P型欧姆接触层（8）表面形成光反射层（9）；所述步骤01中光反射层（9）通过蒸镀或溅射方式附着在P型欧姆接触层（8）上；步骤02、形成N型电极形成区（12）；所述步骤02中包括以下具体分步骤：步骤021、在光反射层（9）表面涂敷第一光刻胶层（10）；步骤022、倒装LED芯片一侧的第一光刻胶层（10）通过曝光或显影方式去除；步骤023、利用干刻或化学腐蚀的方法，将暴露部分的N型分别限制层（4）、有源区层（5）、P型分别限制层（6）、P型层（7）、P型欧姆接触层（8）、光反射层（9）以及部分的N型层（3）去除并且形成N型电极形成区（12），使得整个倒装LED芯片形成阶梯结构；步骤024、将倒装LED芯片另一侧剩余的第一光刻胶层（10）全部去除；步骤03、形成绝缘介质膜（13）；所述步骤03中的绝缘介质膜（13）通过镀膜的方式均匀地覆盖在阶梯结构的倒装LED芯片上表面；步骤04、形成P型电极区（17）和N型电极区（18）；所述步骤04中包括以下具体分步骤：步骤041、在绝缘介质膜（13）表面涂敷第二光刻胶层（14）；步骤042、通过曝光或显影方法，在阶梯结构的倒装LED芯片上、下两端部分去除第二光刻胶层（14），并且形成两个绝缘介质膜暴露区（15）；步骤043、通过干刻或化学腐蚀方法，将两个绝缘介质膜暴露区（15）覆盖的绝缘介质膜（13）去除，形成两个去除绝缘介质膜暴露区（16）；步骤044、去除绝缘介质膜（13）上的剩余所有第二光刻胶层（14）后，在倒装LED芯片的阶梯上下两端分别形成P型电极区（17）和N型电极区（18）；步骤05、制作形成P型电极（21）和N型电极（22），其中N型电极（22）为阶梯结构，N型电极（22）的下端穿过所述绝缘介质膜（13）与所述N型层（3）连接，N型电极（22）的上端向P型电极（21）的位置延伸，并且上端的N型电极（22）与P型电极（21）存在相同高度的共同锡焊面；所述步骤05中包括以下具体分步骤：步骤051、将步骤04得到阶梯结构的倒装LED芯片表面涂敷第三光刻胶层（19）；步骤052、去除P型电极区（17）和N型电极区（18）上方的第三光刻胶层（19）以及去除P型电极区（17）和N型电极区（18）之间部分的第三光刻胶层（19），保留的部分第三光刻胶层（19）用于将来P型电极和N型电极之间形成隔离；步骤053、将步骤052得到阶梯结构的倒装LED芯片表面制作一金属合金层（20）；步骤054、去除步骤052中保留的部分第三光刻胶层（19）及其上方的金属合金层（20），最终形成P型电极（21）和N型电极（22）；步骤06、P型电极（21）和N型电极（22）通过锡焊的方式固定在各自的PCB板上；步骤07、将所述衬底（1）蚀刻成上凹孔结构（26）和下凹孔结构（27）的组合体；所述步骤07中P型电极（21）和N型电极（22）通过各自的PCB板与散热板（25）进行固定连接；步骤08、对倒装LED芯片进行封装。