| 发明名称 | NOR型闪存存储单元及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种NOR型闪存存储单元的制造方法，包括：在有源区上形成包含控制栅层的预备蚀刻层；对预备蚀刻层进行第一蚀刻；在经过第一蚀刻的凹槽中填充层间电介质材料；进行第二蚀刻去除源极连线的预定位置和漏极连线的预定位置的层间电介质材料；沉积控制栅保护层，并对控制栅保护层进行第三蚀刻以露出有源区表面；在经过第三蚀刻的凹槽中填充连线导电材料。本发明通过先沉积ILD材料，然后经过蚀刻之后沉积控制栅保护层，再填充连线导电材料，由于对于连线的预定位置的蚀刻在绝缘保护层沉积之前，可以避免其对控制栅保护层的伤害，可以保证较高的CT-CG击穿电压，在芯片的运行过程中不容易击穿。 | ||
| 申请公布号 | CN104183552A | 申请公布日期 | 2014.12.03 |
| 申请号 | CN201310195064.7 | 申请日期 | 2013.05.23 |
| 申请人 | 北京兆易创新科技股份有限公司 | 发明人 | 吴楠;冯骏 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人 | 马晓亚 |
| 主权项 | 一种NOR型闪存存储单元的制造方法，包括：在有源区上形成包含控制栅层的预备蚀刻层；对所述预备蚀刻层进行第一蚀刻；在经过第一蚀刻的凹槽中填充层间电介质材料；进行第二蚀刻去除源极连线的预定位置和漏极连线的预定位置的层间电介质材料；沉积控制栅保护层，并对所述控制栅保护层进行第三蚀刻以露出所述有源区表面；在经过第三蚀刻的凹槽中填充连线导电材料。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座12层 | ||