发明名称 一种锗抛光液
摘要 本发明公开了一种用于锗晶片的高效、pH值稳定的抛光液组合物,其组成成分是所占重量百分比为:磨料1%-60%,pH稳定剂1%-8%、表面活性剂0.01%-2%、防腐剂0.001%-0.05%、螯合剂0.01%-1%,余量为超纯水。其特征在于采用本单位自产一次成型双峰粒径硅溶胶为磨料,添加一种高pH稳定剂,可稳定控制pH值在抛光过程中浮动范围<0.5。该抛光液损伤少,效率高,可同时实现粗抛与精抛相结合,且由于其pH值稳定,大大延长了抛光液的使用寿命。
申请公布号 CN104178034A 申请公布日期 2014.12.03
申请号 CN201310201406.1 申请日期 2013.05.27
申请人 天津西美半导体材料有限公司 发明人 高如山
分类号 C09G1/02(2006.01)I 主分类号 C09G1/02(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种超大规模集成电路用锗抛光液,其特征在于该抛光液采用自产一次成型双峰粒径硅溶胶为磨料,且加入自配高效pH稳定剂,其组成成分如下: 双峰磨料1%‑60%;              pH稳定剂1%‑8% 表面活性剂0.01%‑2%;          防腐剂0.001%‑0.05%; 螯合剂0.01%‑1%;              超纯水,余量。
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