发明名称 |
一种锗抛光液 |
摘要 |
本发明公开了一种用于锗晶片的高效、pH值稳定的抛光液组合物,其组成成分是所占重量百分比为:磨料1%-60%,pH稳定剂1%-8%、表面活性剂0.01%-2%、防腐剂0.001%-0.05%、螯合剂0.01%-1%,余量为超纯水。其特征在于采用本单位自产一次成型双峰粒径硅溶胶为磨料,添加一种高pH稳定剂,可稳定控制pH值在抛光过程中浮动范围<0.5。该抛光液损伤少,效率高,可同时实现粗抛与精抛相结合,且由于其pH值稳定,大大延长了抛光液的使用寿命。 |
申请公布号 |
CN104178034A |
申请公布日期 |
2014.12.03 |
申请号 |
CN201310201406.1 |
申请日期 |
2013.05.27 |
申请人 |
天津西美半导体材料有限公司 |
发明人 |
高如山 |
分类号 |
C09G1/02(2006.01)I |
主分类号 |
C09G1/02(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种超大规模集成电路用锗抛光液,其特征在于该抛光液采用自产一次成型双峰粒径硅溶胶为磨料,且加入自配高效pH稳定剂,其组成成分如下: 双峰磨料1%‑60%; pH稳定剂1%‑8% 表面活性剂0.01%‑2%; 防腐剂0.001%‑0.05%; 螯合剂0.01%‑1%; 超纯水,余量。 |
地址 |
300384 天津市华苑产业区海泰发展六道6号海泰绿色产业基地G座401室-04-24 |