| 发明名称 | 半导体布置及其形成方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种半导体布置及其形成方法。半导体布置包括设置在保护区的第一侧的有源区。有源区包括有源器件。半导体布置的保护区包括有源区的残留物。还提供了形成半导体布置的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN104183629A | 申请公布日期 | 2014.12.03 |
| 申请号 | CN201310456169.3 | 申请日期 | 2013.09.29 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 庄学理;吴伟成;黄进义;刘世昌 |
| 分类号 | H01L29/10(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种半导体布置，包括：保护区；以及有源区，设置在所述保护区的第一侧，所述有源区包括有源器件，所述保护区包括来自所述有源区的残留物。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||