一种半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上依次形成蚀刻停止层、低k介电层、缓冲层和硬掩膜层，其中，缓冲层由不含氮元素的介电抗反射涂层构成，且所述介电抗反射涂层的构成材料的含氧量小于SiO₂的含氧量；在低k介电层中形成铜金属互连结构；在铜金属互连结构中形成铜金属层。根据本发明，在实施双大马士革工艺所需的蚀刻过程中，位于硬掩膜层和低k介电层之间的缓冲层不会发生侧壁凹进的现象，从而保证缓冲层侧壁轮廓的平整，保证后续沉积铜金属扩散阻挡层和铜金属种子层时二者的沉积质量。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成蚀刻停止层、低k介电层、缓冲层和硬掩膜层，其中，所述缓冲层由不含氮元素的介电抗反射涂层构成，且所述介电抗反射涂层的构成材料的含氧量小于SiO₂的含氧量；在所述低k介电层中形成铜金属互连结构；在所述铜金属互连结构中形成铜金属层。