发明名称 |
主动元件 |
摘要 |
一种主动元件,配置于一基板上。主动元件包括一金属层、一半导体通道层、一绝缘层、一源极以及一汲极。金属层具有一远离基板的金属氧化物表面。绝缘层配置于金属层与半导体通道层之间。源极与汲极配置于半导体通道层之一侧。半导体通道层的一部分暴露于源极与汲极之间。金属层于基板上的正投影至少覆盖被源极与汲极所暴露出半导体通道层的部分于基板上的正投影。 |
申请公布号 |
TWI463670 |
申请公布日期 |
2014.12.01 |
申请号 |
TW101110796 |
申请日期 |
2012.03.28 |
申请人 |
元太科技工业股份有限公司 新竹市科学工业园区力行一路3号 |
发明人 |
王旨玄;叶佳俊;辛哲宏 |
分类号 |
H01L29/786;H01L21/336 |
主分类号 |
H01L29/786 |
代理机构 |
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代理人 |
詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;叶璟宗 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 |
主权项 |
一种主动元件,配置于一基板上,该主动元件包括:一金属层,具有一远离该基板的金属氧化物表面;一半导体通道层;一绝缘层,配置于该金属层与该半导体通道层之间;一源极,配置于该半导体通道层之一侧;以及一汲极,配置于该半导体通道层之该侧,其中该半导体通道层的一部分暴露于该源极与该汲极之间,且该金属层于该基板上的正投影至少覆盖被该源极与该汲极所暴露出该半导体通道层的该部分于该基板上的正投影。 |
地址 |
新竹市科学工业园区力行一路3号 |