发明名称 |
压延铜箔 |
摘要 |
提供一种使铜箔表面适度地变得粗糙而提高操作性,进一步弯曲性优异,并且表面蚀刻特性良好之压延铜箔。;该压延铜箔系一种于压延平行方向测得之表面之60度光泽度G60RD为100以上300以下,于200℃加热30分钟而调质为再结晶组织之状态下,由压延面之X射线绕射求得之200绕射强度(I)相对于由微粉末铜之X射线绕射求得之200绕射强度(I0)为20≦I/I0≦40,在铜箔表面于压延平行方向长度为175μm,且于压延直角方向分别相隔50μm以上之3条直线上,相当于油坑最大深度之各直线之厚度方向的最大高度与最小高度之差的平均值d与上述铜箔之厚度t之比率d/t为0.1以下,于压延平行方向测得之表面之60度光泽度G60RD与于压延直角方向测得之表面之60度光泽度G60TD之比率G60RD/G60TD未达0.8。 |
申请公布号 |
TWI462787 |
申请公布日期 |
2014.12.01 |
申请号 |
TW101132232 |
申请日期 |
2012.09.05 |
申请人 |
JX日鑛日石金属股份有限公司 日本 |
发明人 |
中室嘉一郎;千叶喜宽;大久保光浩;鲛岛大辅;冠和树;青岛一贵 |
分类号 |
B21B3/00;C22F1/08;H05K1/09 |
主分类号 |
B21B3/00 |
代理机构 |
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代理人 |
阎启泰 台北市中山区长安东路2段112号9楼;林景郁 台北市中山区长安东路2段112号9楼 |
主权项 |
一种压延铜箔,于压延平行方向测得之表面之根据JIS-Z8741的60度光泽度G60RD为100以上300以下,于200℃加热30分钟而调质为再结晶组织之状态下,由压延面之X射线绕射求得之200绕射强度(I)相对于由微粉末铜之X射线绕射求得之200绕射强度(I0)为20≦I/I0≦40,在铜箔表面于压延平行方向长度为175μm,且于压延直角方向分别相隔50μm以上之3条直线上,相当于油坑最大深度之各直线之厚度方向的最大高度与最小高度之差的平均值d与该铜箔之厚度t之比率d/t为0.1以下,于压延平行方向测得之表面之60度光泽度G60RD与于压延直角方向测得之表面之根据JIS-Z8741的60度光泽度G60TD之比率G60RD/G60TD未达0.8。 |
地址 |
日本 |