发明名称 | 能隙电压参考电路 | ||
摘要 | 本发明提供一种能隙电压参考电路,其包括工作电压、电流镜、第一PMOS晶体管以及放大器。电流镜耦接工作电压。第一PMOS晶体管耦接工作电压与电流镜。放大器耦接电流镜与第一PMOS晶体管。当能隙电压参考电路被启动时,工作电压开始供应电压使得第一PMOS晶体管先被导通。当工作电压大于预设电压位准时,第一PMOS晶体管被关闭,以完成启动程序。 | ||
申请公布号 | CN104166420A | 申请公布日期 | 2014.11.26 |
申请号 | CN201310269184.7 | 申请日期 | 2013.06.28 |
申请人 | 力智电子股份有限公司 | 发明人 | 林文胜 |
分类号 | G05F1/56(2006.01)I | 主分类号 | G05F1/56(2006.01)I |
代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人 | 臧建明 |
主权项 | 一种能隙电压参考电路,其特征在于,包括:一工作电压;一电流镜,耦接所述工作电压;一第一PMOS晶体管,耦接所述工作电压与所述电流镜;以及一放大器,耦接所述电流镜与所述第一PMOS晶体管,其中当所述能隙电压参考电路被启动时,所述工作电压开始供应电压使得所述第一PMOS晶体管先被导通,而当所述工作电压大于一预设电压位准时,所述第一PMOS晶体管被关闭,以完成一启动程序。 | ||
地址 | 中国台湾新竹县竹北市台元一街5号9楼之1 |