| 发明名称 | 隧道结过孔、隧道结电路及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种用于形成隧道结或TJ电路的方法，该方法包括：形成底部布线层（308）；形成接触底部布线层的多个TJ（301）；与多个TJ的形成同时形成多个隧道结过孔或TJV（305），TJV接触底部布线层；以及形成接触多个TJ和多个TJV的顶部布线层（310）。一种包括多个隧道结的电路，该电路包括：接触多个TJ的底部布线层，底部布线层还接触多个隧道结过孔，其中，多个TJ和多个TJV包括相同的材料；以及接触多个TJ和多个TJV的顶部布线层。 | ||
| 申请公布号 | CN102714173B | 申请公布日期 | 2014.11.26 |
| 申请号 | CN201080060898.1 | 申请日期 | 2010.11.16 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | M.C.盖蒂斯 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/525(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 周少杰 |
| 主权项 | 一种形成隧道结电路的方法，该方法包括：形成底部布线层；形成接触底部布线层的多个隧道结；与多个隧道结的形成同时形成多个隧道结过孔，所述隧道结过孔接触底部布线层；以及形成接触多个隧道结和多个隧道结过孔的顶部布线层，所述方法还包括形成多个隧道结过孔，使得多个隧道结过孔包括至少一个凹表面，其中，形成多个隧道结以及多个隧道结过孔包括刻蚀，以及多个隧道结过孔的至少一个凹表面配置为在刻蚀期间捕获刻蚀的材料，以便减小多个隧道结过孔的电阻。 | ||
| 地址 | 美国纽约阿芒克 | ||