发明名称 酞菁纳米棒及光电转换元件
摘要 本发明提供酞菁纳米棒、含有该酞菁纳米棒的墨组合物、含有该酞菁纳米棒的晶体管、含有该酞菁纳米棒的光电转换元件用材料以及特征在于在正极与负极之间含有该酞菁纳米棒的光电转换元件。通过涂布、印刷法等湿法可以将含有本发明的纳米棒的墨组合物成膜,因此,可以在柔性塑料基板上提供难以破坏且轻量的廉价的电子元件。
申请公布号 CN103429668B 申请公布日期 2014.11.26
申请号 CN201180067485.0 申请日期 2011.05.19
申请人 DIC株式会社 发明人 饵取秀树;村田秀之;深泽宪正;稻垣翔
分类号 C09B47/04(2006.01)I;B82Y20/00(2011.01)I;C09B47/24(2006.01)I;C09B67/02(2006.01)I;C09B67/20(2006.01)I;C09D11/52(2014.01)I;H01L27/146(2006.01)I;H01L51/42(2006.01)I;H01L51/00(2006.01)I 主分类号 C09B47/04(2006.01)I
代理机构 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人 刘新宇;李茂家
主权项 一种酞菁纳米棒,其含有未取代酞菁和具有取代基的酞菁,所述酞菁纳米棒的短径为100nm以下,其长度与短径之比即长度/短径小于10,未取代酞菁用通式(1)或(2)表示:<img file="FDA0000560082260000011.GIF" wi="1102" he="507" />其中,在式(1)或(2)中,X是选自由铜原子、锌原子、钴原子、镍原子、锡原子、铅原子、镁原子、硅原子、铁原子、钯原子、TiO、VO和AlCl组成的组中的任意一种;具有取代基的酞菁用通式(3)或(4)表示:<img file="FDA0000560082260000012.GIF" wi="1312" he="570" />其中,在式(3)或(4)中,X是选自由铜原子、锌原子、钴原子、镍原子、锡原子、铅原子、镁原子、硅原子、铁原子、钯原子、TiO、VO和AlCl组成的组中的任意一种,Y<sub>1</sub>~Y<sub>4</sub>为使酞菁骨架与R<sub>1</sub>~R<sub>4</sub>键合的、用‑(CH<sub>2</sub>)<sub>n</sub>‑、‑CH=CH‑、‑C≡C‑、‑O‑、‑NH‑、‑S‑、‑S(O)‑或‑S(O)<sub>2</sub>‑表示的连接基团时,R<sub>1</sub>~R<sub>4</sub>表示选自烷基、亚苯基、萘基、吡咯基、噻吩基、苯二甲酰亚胺基的基团,上述‑(CH<sub>2</sub>)<sub>n</sub>‑中,n表示1~10的整数,不存在作为所述连接基团的Y<sub>1</sub>~Y<sub>4</sub>时,R<sub>1</sub>~R<sub>4</sub>为‑SO<sub>3</sub>H、‑CO<sub>2</sub>H、烷基、苯基、萘基、吡咯基、噻吩基或苯二甲酰亚胺基,a、b、c和d各自独立地表示0~4的整数,其中至少一者不为0,所述酞菁纳米棒的制造方法包括以下工序:(1)在使未取代酞菁与具有取代基的酞菁溶解在硫酸、氯磺酸、甲磺酸或三氟乙酸中之后,使之在水或以水为主成分的水溶液中析出,获得复合体的工序;(2)在N,N‑二甲基乙酰胺、N,N‑二甲基甲酰胺、N‑甲基吡咯烷酮、甲苯、二甲苯、乙基苯、氯苯或二氯苯中,通过以5~250℃的温度范围进行搅拌或静置,使上述工序(1)中获得的复合体纳米线化的工序;(3)在上述(2)所述的有机溶液中,通过搅拌处理、分散搅拌处理、分散均匀处理、超声波照射处理、超声波搅拌处理、超声波均匀处理、超声波分散处理或激光照射处理,使上述工序(2)中获得的纳米线纳米棒化的工序。
地址 日本东京都