射频LDMOS器件的边缘隔离结构及制造方法

摘要

本发明公开了一种射频LDMOS器件边缘隔离优化结构，在大功率器件中，由于较大的栅宽导致的漏电，在边缘进行隔离时，将源极金属层向漏极金属层与隔离环区交界的区域延伸，利用源极金属层的接地，将漏极金属层与隔离环进行屏蔽，防止漏极金属中较高的电压导致隔离环区反型而产生漏电，方法简单易于实施且效果良好。本发明还公开了所述射频LDMOS器件边缘隔离优化结构的制造方法。

主权项

一种射频LDMOS器件边缘隔离结构，P型掺杂隔离环区环绕包围有源区；在有源区中，多个源区和漏区交替间隔排列，且源区和漏区之间的沟道区上具有多晶硅栅极，源区上覆盖第一金属层并通过接触孔相互连接，漏区上具有第二金属层并通过接触孔相互连接，第二金属层跨过隔离环区，将漏极引出隔离环区之外，所述的边缘隔离结构，其特征在于：连接源区的第一金属层向第二金属层将漏极引出的引出方向上延伸，并位于隔离环区与第二金属层之间，且相邻的第一金属层连接在一起，将隔离环区与第二金属层隔离。