| 发明名称 | 一种逆变器的IGBT电压尖峰吸收电路 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供一种逆变器的IGBT电压尖峰吸收电路，包括：开关管Q3、开关管Q4、第一RCD吸收电路和第二RCD吸收电路；所述开关管Q3和开关管Q4相连接；所述开关管Q3与第一RCD吸收电路相连接，所述开关管Q4与第二RCD吸收电路相连接。本实用新型的开关管Q3和开关管Q4分别采用第一RCD吸收电路和第二RCD吸收电路来抑制IGBT的电压尖峰，吸收能力强，电压尖峰小，多余的能量能够反馈到母线上，损耗小。 | ||
| 申请公布号 | CN203967965U | 申请公布日期 | 2014.11.26 |
| 申请号 | CN201420336645.8 | 申请日期 | 2014.06.23 |
| 申请人 | 深圳科士达科技股份有限公司 | 发明人 | 王飞;温志伟;郜佳辉 |
| 分类号 | H02M1/32(2007.01)I | 主分类号 | H02M1/32(2007.01)I |
| 代理机构 | 深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙) 44248 | 代理人 | 肖伟;邓扬 |
| 主权项 | 一种逆变器的IGBT电压尖峰吸收电路，其特征在于，包括：开关管Q3、开关管Q4、第一RCD吸收电路和第二RCD吸收电路；所述开关管Q3和开关管Q4相连接；所述开关管Q3与第一RCD吸收电路相连接，所述开关管Q4与第二RCD吸收电路相连接。 | ||
| 地址 | 518057 广东省深圳市南山区高新科技中二路软件园1栋4楼 | ||