Transistor

摘要

Transistor, mit: einem p-Bereich (18); einem Kanalbereich (20), der mit einer oberen Oberfläche des p-Bereichs (18) verbunden ist, wobei der Kanalbereich (20) vom n-Typ oder vom i-Typ ist, und einen ersten Kanalbereich (20a) und einen zweiten Kanalbereich (20b) umfasst; einem Barrierenbereich (22), der einen Heteroübergang mit einer oberen Oberfläche des ersten Kanalbereichs (20a) ausbildet; einer Isolationsschicht (62), die mit einer oberen Oberfläche des zweiten Kanalbereichs (20b) und einer oberen Oberfläche des Barrierenbereichs (22) verbunden ist; einer Gateelektrode (64), die dem zweiten Kanalbereich (20b) und dem Barrierenbereich (22) über die Isolationsschicht (62) zugewandt ist; einem Driftbereich (16), der mit einem Ende des Kanalbereichs (20) verbunden ist, wobei der Driftbereich (16) vom n-Typ ist; und einem Sourcebereich (24), der mit einem anderen Ende des Kanalbereichs (20) verbunden ist, wobei der Sourcebereich (24) vom n-Typ ist, und die Dichte der n-Dotierstoffe in dem Sourcebereich (24) höher als die in dem ersten und zweiten Kanalbereich (20) ist, wobei der erste Kanalbereich (20a) und der zweite Kanalbereich (20b) in einem Stromleitungspfad zwischen dem Driftbereich (16) und dem Sourcebereich (24) in Reihe angeordnet sind.