| 发明名称 | 生长在W衬底上的InGaN/GaN多量子阱及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了生长在W衬底上的InGaN/GaN多量子阱，包括生长在W衬底上的AlN缓冲层，生长在AlN缓冲层上的非掺杂GaN层，生长在非掺杂GaN层上的InGaN/GaN多量子阱；所述AlN缓冲层为在400～500℃生长的AlN缓冲层；所述非掺杂GaN层为在500～700℃生长的非掺杂GaN层；所述InGaN/GaN多量子阱为在700～800℃生长的InGaN/GaN多量子阱。本发明还公开了上述生长在W衬底上的InGaN/GaN多量子阱的制备方法。本发明具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点，且制备的InGaN/GaN多量子阱缺陷密度低、结晶质量好，光电性能好。 | ||
| 申请公布号 | CN104157754A | 申请公布日期 | 2014.11.19 |
| 申请号 | CN201410317734.2 | 申请日期 | 2014.07.03 |
| 申请人 | 华南理工大学 | 发明人 | 李国强;王文樑;刘作莲;杨为家;林云昊;周仕忠;钱慧荣 |
| 分类号 | H01L33/02(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I;H01L33/12(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/02(2010.01)I |
| 代理机构 | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人 | 陈文姬 |
| 主权项 | 生长在W衬底上的InGaN/GaN多量子阱，其特征在于，包括生长在W衬底上的AlN缓冲层，生长在AlN缓冲层上的非掺杂GaN层，生长在非掺杂GaN层上的InGaN/GaN多量子阱；所述AlN缓冲层为在400～500℃生长的AlN缓冲层；所述非掺杂GaN层为在500～700℃生长的非掺杂GaN层；所述InGaN/GaN多量子阱为在700～800℃生长的InGaN/GaN多量子阱。 | ||
| 地址 | 510640 广东省广州市天河区五山路381号 | ||