发明名称 一种超低介电常数聚酰亚胺薄膜及其制备方法
摘要 本发明旨在提供一种具有超低介电常数的聚酰亚胺薄膜及其制备方法,本发明目的是通过在聚酰亚胺薄膜中构建纳孔结构的手段来实现的。所含纳孔结构中含有空气,空气体积占到全部薄膜体积的10%~40%,从而可大幅度降低本体聚酰亚胺薄膜的介电常数。其次,该种纳孔结构尺寸均一,在电场中可使外加场强均匀化分布,不容易出现电压集中于某点的现象,从而可有效避免因为构建纳孔结构引起的薄膜击穿电压性能的劣化,大大增加了该类材料的使用范围。
申请公布号 CN104157630A 申请公布日期 2014.11.19
申请号 CN201410454474.3 申请日期 2014.09.09
申请人 西华大学 发明人 马素德;闵忠华;王岩;张勤勇
分类号 H01L23/532(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/312(2006.01)I 主分类号 H01L23/532(2006.01)I
代理机构 成都华典专利事务所(普通合伙) 51223 代理人 徐丰
主权项 本发明提供了一种超低介电常数聚酰亚胺薄膜,其特征在于:在聚酰亚胺薄膜的基体中含有若干纳米级孔径均一的、含有空气的孔洞,孔径为40~60nm;随化学成份不同,以水作为参考密度,相对密度为0.89~1.22;空气中的长期使用温度为250~320℃;介电常数为1.92~3.36,与同种成份不含空气孔的聚酰亚胺薄膜相比,介电常数下降了16%~36%。
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