发明名称 |
一种片式宽域氧传感器芯片 |
摘要 |
本实用新型公开了一种片式宽域氧传感器芯片,包括包括由上至下依次层叠设置的第一层流延基片、第二层流延基片、第三层流延基片、第四层流延基片、第五层流延基片以及第六层流延基片,其中,第二层流延基片上设有扩散空腔,第四层流延基片上设有反应空腔,第三层流延基片上设有连通扩散空腔和反应空腔的扩散通道;第三层流延基片的上表面设有容置于扩散空腔内的信号外泵电极,第三层流延基片的上表面还印制有覆盖在信号外泵电极上的保护层;第四层流延基片上表面设有一凹槽,凹槽内设置有绝缘层,绝缘层内设置有参比电极。本实用新型在结构设计上更加合理,强度更高,而且信号更稳定。 |
申请公布号 |
CN203949895U |
申请公布日期 |
2014.11.19 |
申请号 |
CN201420321027.6 |
申请日期 |
2014.06.16 |
申请人 |
深圳市普利斯通传感科技有限公司;江澍 |
发明人 |
黄海琴;宗红军;黄海军 |
分类号 |
G01N27/409(2006.01)I |
主分类号 |
G01N27/409(2006.01)I |
代理机构 |
深圳市精英专利事务所 44242 |
代理人 |
冯筠 |
主权项 |
一种片式宽域氧传感器芯片,其特征在于,包括由上至下依次层叠设置的第一层流延基片、第二层流延基片、第三层流延基片、第四层流延基片、第五层流延基片以及第六层流延基片,其中,所述第二层流延基片上设有扩散空腔,所述第四层流延基片上设有反应空腔,所述第三层流延基片上设有连通扩散空腔和反应空腔的扩散通道;所述第三层流延基片的上表面设有容置于扩散空腔内的信号外泵电极,所述第三层流延基片的上表面还印制有覆盖在信号外泵电极上的保护层;所述第四层流延基片上表面设有一凹槽,所述凹槽内设置有第一绝缘层,所述第一绝缘层内设置有参比电极;所述反应空腔内设有若干信号内泵电极,所述反应空腔内设有将信号内泵电极与扩散通道隔离的扩散障碍层;所述第五层流延基片与第六层流延基片之间设有第二绝缘层,所述第二绝缘层内设有加热电极,所述加热电极通过电极引脚引到传感器的表面。 |
地址 |
518000 广东省深圳市宝安区松岗江边第三工业区中心大道11号四洲盛厂房1栋201 |