| 摘要 |
本发明之功率模组,是在电路层(12)当中与半导体元件(3)之接合面上,设有由铜或铜合金所构成之铜层,而在电路层(12)与半导体元件(3)之间,形成有使用焊料材而形成之焊料层(20)。焊料层(20)当中从电路层(12)的表面上起算至厚度30m之区域中,以EBSD(Electron Backscatter Diffraction,电子背向散射绕射)测定所测定之平均结晶粒径系为10m以下,焊料层(20)之组成为,含有Sn作为主成分,且含有Ni在0.01mass%以上1.0mass%以下、Cu在0.1mass%以上5.0mass%以下,于功率循环试验中,当负载10万次通电时间5秒、温度差80℃的条件之功率循环时,热阻上昇率未满10%。 |
